La memoria DDR3 comienza a madurar y se empieza a ver todo su potencial, que no solo se reduce a velocidad sino también a capacidad y consumo.
Los nuevos módulos de memoria que Samsung comenzara a producir están realizados mediante un proceso de 50nm que permite multiplicar por dos la capacidad actual de los módulos de memoria DDR3 a la vez que se reduce el consumo hasta en un 40%. De este modo comenzaremos a ver no solo módulos de hasta 16GB, que sin duda quedaran por ahora para equipos servidor de alto rendimiento, sino también módulos más normales de 4GB, por ejemplo, más baratos, ya que se necesitaran menos chips de memoria para producirlos, mas fríos, ya que consumirán menos y hasta un 60% más rápidos gracias a mejoras en el bus de memoria del propio modulo.
Samsung también espera que estos nuevos avances nos proporcionen los primeros módulos SODIMM DDR3 de 4GB por modulo, ideal para la nueva plataforma Centrino 2, que potenciara el rendimiento de portátiles de gama alta multiplicando por dos la máxima capacidad de memoria actual.
Todos estos avances se comenzaran a disfrutar durante 2009 ya que los primeros chips con esta nueva tecnología se comenzaran a producir a finales de este mismo año.
Fuente: www.hispazone.com
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